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技术突破!中国电科成功制备4英寸氧化镓单晶

来源: 国资委      日期:19.02.28

  近日,中国电科46所经过多年氧化镓晶体生长技术探索,通过改进热场结构、优化生长气氛和晶体生长工艺,有效解决了晶体生长过程中原料分解、多晶形成、晶体开裂等问题,采用导模法成功制备出高质量的4英寸氧化镓单晶。

  氧化镓是一?#20013;?#22411;超宽禁带半导体材料,适用于制造高电流密度的功率器件、紫外探测器、发光二极管等。但由于氧化镓属于单斜晶系,具有高熔点、高温分解以及易开裂的特性,因此,大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。中国电科46所制备的氧化镓单晶的宽度接近100mm,总长度达到250mm,可加工出4英寸晶圆、3英寸晶圆和2英寸晶圆。经测试,晶体具有很好的结晶质量,将为国内相关器件的研制提供有力支撑。

  

责任编辑:李梁  投稿邮箱:网上投稿

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